Производитель Номер продукта:
IPD350N06LGBTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD350N06LGBTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 29A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
4704 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805693
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD350N06LGBTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
35mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 28µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
800 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD350
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IFEINFIPD350N06LGBTMA1
IPD350N06L G-DG
IPD350N06L G
IPD350N06LG
IPD350N06LGBTMA1DKR
IPD350N06LGBTMA1TR
SP000443746
2156-IPD350N06LGBTMA1
IPD350N06LGBTMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
IRF7807D2TR
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRFS7437TRLPBF
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
