Производитель Номер продукта:
IPD50N03S207ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD50N03S207ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
2500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805342
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD50N03S207ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 85µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD50N03S207ATMA1TR-DG
SP000254462
448-IPD50N03S207ATMA1DKR
INFINFIPD50N03S207ATMA1
2156-IPD50N03S207ATMA1
IPD50N03S2-07
IPD50N03S207ATMA1TR
448-IPD50N03S207ATMA1CT
IPD50N03S2-07-DG
448-IPD50N03S207ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPZ60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
IRF150P221XKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
