Производитель Номер продукта:
IPD50N04S4L08ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD50N04S4L08ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Инвентаризация:
23056 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803699
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD50N04S4L08ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 17µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2340 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
46W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-313
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD50N04S4L08ATMA1TR
2156-IPD50N04S4L08ATMA1
IPD50N04S4L-08
IPD50N04S4L08ATMA1DKR
SP000711456
IPD50N04S4L-08-DG
INFINFIPD50N04S4L08ATMA1
IPD50N04S4L08ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD25CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
IRF2907ZPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
IRF9317PBF
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO