Производитель Номер продукта:
IPD50R1K4CEAUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD50R1K4CEAUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
4935 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800893
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD50R1K4CEAUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
13V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 70µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
178 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
42W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD50R1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
448-IPD50R1K4CEAUMA1DKR
ROCINFIPD50R1K4CEAUMA1
IPD50R1K4CEAUMA1-DG
448-IPD50R1K4CEAUMA1TR
448-IPD50R1K4CEAUMA1CT
2156-IPD50R1K4CEAUMA1
SP001396808
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB120N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
BSO119N03S
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
IPD50N06S2L13ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
