Производитель Номер продукта:
IPD50R650CEAUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD50R650CEAUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Инвентаризация:
1584 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801144
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD50R650CEAUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
13V
Rds On (макс.) @ id, vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
342 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-344
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD50R650
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
448-IPD50R650CEAUMA1DKR
IPD50R650CEAUMA1-DG
SP001396796
INFINFIPD50R650CEAUMA1
448-IPD50R650CEAUMA1CT
448-IPD50R650CEAUMA1TR
2156-IPD50R650CEAUMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
TP0606N3-G-P002
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3