Производитель Номер продукта:
IPD60R1K0CEAUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD60R1K0CEAUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Подробное описание:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 61W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Инвентаризация:
7232 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800132
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD60R1K0CEAUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
280 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
61W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-344
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
ROCINFIPD60R1K0CEAUMA1
SP001396896
448-IPD60R1K0CEAUMA1DKR
448-IPD60R1K0CEAUMA1CT
448-IPD60R1K0CEAUMA1TR
2156-IPD60R1K0CEAUMA1
IPD60R1K0CEAUMA1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD60R600E6
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
IPB140N08S404ATMA1
MOSFET N-CH 80V 140A TO263-7
IPB014N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7