Производитель Номер продукта:
IPD60R280P7SE8228AUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD60R280P7SE8228AUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
12804352
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD60R280P7SE8228AUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
280mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 190µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
761 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
53W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD60R
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SP002367802
IPD60R280P7SE8228AUMA1-DG
448-IPD60R280P7SE8228AUMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD60R280P7SAUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2511
Номер части
IPD60R280P7SAUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.43
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD95R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
IRFB4233PBF
MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB
IPI80N06S208AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3