Производитель Номер продукта:
IPD60R2K0C6ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD60R2K0C6ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 22.3W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
2500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804780
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD60R2K0C6ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ C6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 760mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
140 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
22.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
448-IPD60R2K0C6ATMA1CT
448-IPD60R2K0C6ATMA1DKR
SP001117714
IPD60R2K0C6ATMA1-DG
448-IPD60R2K0C6ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP45N06S409AKSA2
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
IRFR7546TRPBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
IRFIB41N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP
