Производитель Номер продукта:
IPD60R2K1CEBTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD60R2K1CEBTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
12801317
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD60R2K1CEBTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 760mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
140 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
22W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD60R2K1CEBTMA1CT
SP001276038
IPD60R2K1CEBTMA1DKR
IPD60R2K1CEBTMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD60R2K1CEAUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
10286
Номер части
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.17
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD60R520CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3
IPD60R380C6
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IRF1018EPBF
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
