Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPD60R400CEATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD60R400CEATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 10.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12803628
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD60R400CEATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
700 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPD60R400CEATMA1
HTML Спецификация
IPD60R400CEATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
2156-IPD60R400CEATMA1
IPD60R400CEATMA1CT
IPD60R400CEATMA1DKR
SP001276022
INFINFIPD60R400CEATMA1
IPD60R400CEATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD60R380C6ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
46080
Номер части
IPD60R380C6ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.77
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SIHD14N60E-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1269
Номер части
SIHD14N60E-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.86
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPD60R400CEAUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
14883
Номер части
IPD60R400CEAUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.44
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP120P04P4L03AKSA1
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
IPP60R125C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
IPI032N06N3 G
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPD90N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3