Производитель Номер продукта:
IPD60R600P7ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD60R600P7ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
4810 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801765
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD60R600P7ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
363 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SP001606046
IPD60R600P7ATMA1DKR
IPD60R600P7ATMA1CT
IPD60R600P7ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AUIRFSA8409-7TRL
MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
IPA70R750P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
IPC100N04S51R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34