Производитель Номер продукта:
IPD70N12S3L12ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD70N12S3L12ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL_100+
Подробное описание:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
12803910
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD70N12S3L12ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 83µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5550 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD70
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
448-IPD70N12S3L12ATMA1TR
IPD70N12S3L12ATMA1-DG
SP001400112
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB80N06S2L05ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRF6678TR1PBF
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
IPP200N15N3GHKSA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
