IPD70R900P7SAUMA1
Производитель Номер продукта:

IPD70R900P7SAUMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPD70R900P7SAUMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Инвентаризация:

12655 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12823339
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPD70R900P7SAUMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
211 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30.5W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD70

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD70R900P7SAUMA1DKR
IPD70R900P7SAUMA1CT
IPD70R900P7SAUMA1TR
SP001491638
2156-IPD70R900P7SAUMA1TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRF6644TRPBF

MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET

infineon-technologies

IRL3714L

MOSFET N-CH 20V 36A TO262

infineon-technologies

IRF8788PBF

MOSFET N-CH 30V 24A 8SO

littelfuse

IXFR36N60P

MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247