Производитель Номер продукта:
IPD80R2K8CEATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD80R2K8CEATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
4870 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803536
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD80R2K8CEATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 120µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
290 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
42W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD80R2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
INFINFIPD80R2K8CEATMA1
SP001130970
IPD80R2K8CEATMA1-DG
2156-IPD80R2K8CEATMA1
IPD80R2K8CEATMA1CT
IPD80R2K8CEATMA1DKR
IPD80R2K8CEATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP041N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
IRFR3303TR
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
