Производитель Номер продукта:
IPD80R4K5P7ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD80R4K5P7ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Подробное описание:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 13W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
12800597
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
fzxq
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD80R4K5P7ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
80 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
13W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD80R4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD80R4K5P7ATMA1TR
IPD80R4K5P7ATMA1CT
SP001422632
IPD80R4K5P7ATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
AOD2N60
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
26961
Номер части
AOD2N60-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.20
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
IPI25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
IPB117N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
