Производитель Номер продукта:
IPD90N04S403ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD90N04S403ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Инвентаризация:
9976 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800502
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD90N04S403ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 53µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
66.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5260 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
94W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-313
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD90
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SP000671630
IPD90N04S403ATMA1CT
IPD90N04S4-03-DG
IPD90N04S403ATMA1DKR
IPD90N04S4-03
INFINFIPD90N04S403ATMA1
IPD90N04S403ATMA1TR
2156-IPD90N04S403ATMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB180N04S302ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3