Производитель Номер продукта:
IPD90N10S4L06ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD90N10S4L06ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Инвентаризация:
4873 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803049
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD90N10S4L06ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6250 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-313
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD90
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD90N10S4L06ATMA1-DG
IPD90N10S4L06ATMA1CT
IPD90N10S4L06ATMA1TR
IPD90N10S4L06ATMA1DKR
SP000866562
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD65R380E6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPI80N03S4L03AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
IPT210N25NFDATMA1
MV POWER MOS
