Производитель Номер продукта:
IPD90R1K2C3ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD90R1K2C3ATMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
4075 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12937964
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD90R1K2C3ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 310µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
710 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD90
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
448-IPD90R1K2C3ATMA2DKR
448-IPD90R1K2C3ATMA2TR
448-IPD90R1K2C3ATMA2CT
SP002548874
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
UPA1556AH(7)-AZ
N-CHANNEL POWER MOSFET
NVTFS5C471NLWFTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
AOWF360A70
MOSFET N-CH 700V 12A TO262F
