Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPD90R1K2C3BTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD90R1K2C3BTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13064065
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD90R1K2C3BTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 310µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
710 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD90
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPD90R1K2C3BTMA1
HTML Спецификация
IPD90R1K2C3BTMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3
IPD90R1K2C3DKR
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3BTMA1DKR
SP000413720
IPD90R1K2C3-ND
IPD90R1K2C3BTMA1TR
IPD90R1K2C3CT-ND
IPD90R1K2C3DKR-ND
IPD90R1K2C3TR-ND
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STD6N95K5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
14140
Номер части
STD6N95K5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.19
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPA65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
IRFR9014N
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
IPD12N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IRF7805ZPBF
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO