Производитель Номер продукта:
IPDD60R080G7XTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPDD60R080G7XTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
Подробное описание:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 174W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Инвентаризация:
2376 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13064043
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPDD60R080G7XTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
CoolMOS™ G7
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
80mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 490µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1640 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
174W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HDSOP-10-1
Упаковка / Чехол
10-PowerSOP Module
Базовый номер продукта
IPDD60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,700
Другие названия
IPDD60R080G7XTMA1CT
IPDD60R080G7XTMA1TR
IFEINFIPDD60R080G7XTMA1
SP001632824
IPDD60R080G7XTMA1DKR
2156-IPDD60R080G7XTMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF1010NLPBF
MOSFET N-CH 55V 85A TO262
IRFS4410
MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK
IRF9204PBF
MOSFET P-CH 40V 56A TO220AB