Производитель Номер продукта:
IPDQ60R022S7AXTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPDQ60R022S7AXTMA1-DG
Описание:
MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 416W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Инвентаризация:
750 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13371948
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPDQ60R022S7AXTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 23A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1.44mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 12 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5640 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
416W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HDSOP-22-1
Упаковка / Чехол
22-PowerBSOP Module
Базовый номер продукта
IPDQ60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
750
Другие названия
448-IPDQ60R022S7AXTMA1CT
SP002373870
448-IPDQ60R022S7AXTMA1TR
448-IPDQ60R022S7AXTMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TQM070NH04CR RLG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
G130N06S
MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8
IPQC65R017CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
