Производитель Номер продукта:
IPDQ65R017CFD7XTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPDQ65R017CFD7XTMA1-DG
Описание:
HIGH POWER_NEW
Подробное описание:
N-Channel 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Инвентаризация:
13004367
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPDQ65R017CFD7XTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
136A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 61.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 3.08mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12338 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
694W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HDSOP-22-1
Упаковка / Чехол
22-PowerBSOP Module
Базовый номер продукта
IPDQ65
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
750
Другие названия
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1CT
SP005537598
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1DKR
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSFN6907
MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V
GSF0500AT
MOSFET, N-CH, SINGLE, 360MA, 50V
TP5335MF-G-VAO
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO
