IPF013N04NF2SATMA1
Производитель Номер продукта:

IPF013N04NF2SATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPF013N04NF2SATMA1-DG

Описание:

TRENCH <= 40V
Подробное описание:
N-Channel 40 V 40A (Ta), 232A (Tc) 3.8W (Ta), 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-U02

Инвентаризация:

800 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12994192
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPF013N04NF2SATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
StrongIRFET™2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Ta), 232A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.35mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.4V @ 126µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
159 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7500 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 188W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7-U02
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
IPF013

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800
Другие названия
SP005632911
448-IPF013N04NF2SATMA1DKR
448-IPF013N04NF2SATMA1TR
448-IPF013N04NF2SATMA1CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NVLJWS6D0N04CLTAG

T6 40V LL 2X2 WDFNW6

infineon-technologies

IPB018N10N5ATMA1

TRENCH >=100V

comchip-technology

BSS84W-G

MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT323