Производитель Номер продукта:
IPG16N10S461ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPG16N10S461ATMA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Инвентаризация:
14612 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803204
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPG16N10S461ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A
Rds On (макс.) @ id, vgs
61mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 9µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
490pF @ 25V
Мощность - Макс
29W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-4
Базовый номер продукта
IPG16N10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
IPG16N10S461ATMA1-DG
IPG16N10S461ATMA1TR
IPG16N10S461ATMA1CT
INFINFIPG16N10S461ATMA1
IPG16N10S461ATMA1DKR
2156-IPG16N10S461ATMA1
SP000892972
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFH4253DTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
IRF7751GTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP
IRFI4019HG-117P
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
