Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPG20N04S4L18AATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPG20N04S4L18AATMA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Подробное описание:
Mosfet Array 40V 20A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Инвентаризация:
4770 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12972754
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPG20N04S4L18AATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™-T2
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 8µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1071pF @ 25V
Мощность - Макс
26W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-10
Базовый номер продукта
IPG20N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPG20N04S4L18AATMA1
HTML Спецификация
IPG20N04S4L18AATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-IPG20N04S4L18AATMA1TR
448-IPG20N04S4L18AATMA1CT
448-IPG20N04S4L18AATMA1DKR
SP003127442
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJX8806_R1_00001
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
PJQ5848-AU_R2_000A1
MOSFET 2N-CH 40V 8.6A/30A 8DFN
SP8K52HZGTB
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
PJS6832_S2_00001
MOSFET 2N-CH 30V 1.6A SOT23-6