Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPG20N06S2L50AATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPG20N06S2L50AATMA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Подробное описание:
Mosfet Array 55V 20A 51W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Инвентаризация:
5000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800087
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPG20N06S2L50AATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 19µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
560pF @ 25V
Мощность - Макс
51W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-10
Базовый номер продукта
IPG20N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPG20N06S2L50AATMA1
HTML Спецификация
IPG20N06S2L50AATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP001023842
IPG20N06S2L50AATMA1-DG
448-IPG20N06S2L50AATMA1CT
2156-IPG20N06S2L50AATMA1
448-IPG20N06S2L50AATMA1TR
INFINFIPG20N06S2L50AATMA1
448-IPG20N06S2L50AATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSZ15DC02KDHXTMA1
MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
IPG20N04S409ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
FS45MR12W1M1B11BOMA1
SIC 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
FF45MR12W1M1B11BOMA1
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2