Производитель Номер продукта:
IPG20N06S2L50ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPG20N06S2L50ATMA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Подробное описание:
Mosfet Array 55V 20A 51W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Инвентаризация:
10000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12848927
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPG20N06S2L50ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 19µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
560pF @ 25V
Мощность - Макс
51W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-4
Базовый номер продукта
IPG20N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
IPG20N06S2L-50-DG
448-IPG20N06S2L50ATMA1TR
IPG20N06S2L50ATMA1TR
IPG20N06S2L50ATMA1TR-DG
448-IPG20N06S2L50ATMA1CT
SP000613728
448-IPG20N06S2L50ATMA1DKR
INFINFIPG20N06S2L50ATMA1
2156-IPG20N06S2L50ATMA1
IPG20N06S2L-50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AO4826
MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
FDS3890
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
NVMFD5873NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN