Производитель Номер продукта:
IPG20N06S3L-23
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPG20N06S3L-23-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Подробное описание:
Mosfet Array 55V 20A 45W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Инвентаризация:
12800871
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPG20N06S3L-23 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A
Rds On (макс.) @ id, vgs
23mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2950pF @ 25V
Мощность - Макс
45W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-4
Базовый номер продукта
IPG20N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP000396304
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPG20N06S2L65AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
FF23MR12W1M1B11BOMA1
SIC 2N-CH 1200V 50A MODULE
IPG20N06S415ATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
