Производитель Номер продукта:
IPG20N06S415ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPG20N06S415ATMA2-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Инвентаризация:
3754 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13064001
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPG20N06S415ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Изготовитель
Infineon Technologies
Серия
OptiMOS™
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A
Rds On (макс.) @ id, vgs
15.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2260pF @ 25V
Мощность - Макс
50W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-4
Базовый номер продукта
IPG20N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
IPG20N06S415ATMA2-ND
448-IPG20N06S415ATMA2CT
448-IPG20N06S415ATMA2TR
448-IPG20N06S415ATMA2DKR
SP001028634
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPG16N10S4L61AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
IRF7306QTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
IRF7341GTRPBF
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
