Производитель Номер продукта:
IPI030N10N3GHKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI030N10N3GHKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
12805258
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI030N10N3GHKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 275µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14800 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI030N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP000469884
IPI030N10N3 G-DG
IPI030N10N3 G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDI045N10A-F102
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
475
Номер части
FDI045N10A-F102-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.84
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP80N06S2L05AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRFB4610
MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
IRF7807VD1PBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
