Производитель Номер продукта:
IPI040N06N3GXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI040N06N3GXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12823039
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI040N06N3GXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11000 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
188W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI040
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
INFINFIPI040N06N3GXKSA1
2156-IPI040N06N3GXKSA1
SP000680656
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR3518PBF
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
IPU60R1K5CEBKMA1
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251
IXTA90N055T
MOSFET N-CH 55V 90A TO263
