Производитель Номер продукта:
IPI06N03LA
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI06N03LA-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
12800468
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI06N03LA Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 40µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2653 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI06N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP000014026
IPI06N03LAX
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
IPD50N08S413ATMA1
MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
IPD50R399CP
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3