Производитель Номер продукта:
IPI120N08S404AKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI120N08S404AKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 179W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Инвентаризация:
12801371
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI120N08S404AKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 120µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6450 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
179W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3-1
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI120N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
INFINFIPI120N08S404AKSA1
2156-IPI120N08S404AKSA1
SP000989098
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI028N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
IPL65R210CFDAUMA1
MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
IPD075N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
