Производитель Номер продукта:
IPI139N08N3GHKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI139N08N3GHKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 80 V 45A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
12804629
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI139N08N3GHKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.9mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 33µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1730 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
79W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI139N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IPI139N08N3 G-DG
SP000680716
SP000457714
IPI139N08N3 G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7811A
MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
IRFH7004TRPBF
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
IRF3205ZL
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
