IPI45N06S4L08AKSA1
Производитель Номер продукта:

IPI45N06S4L08AKSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPI45N06S4L08AKSA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Инвентаризация:

12809000
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPI45N06S4L08AKSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.2mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 35µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4780 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
71W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI45N06

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
500
Другие названия
IPI45N06S4L-08-DG
IPI45N06S4L-08
SP000374333

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

TP2522N8-G

MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA

infineon-technologies

IRLR120NTRR

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

infineon-technologies

IRFSL4321PBF

MOSFET N-CH 150V 85A TO262

infineon-technologies

IRLR3105TRLPBF

MOSFET N-CH 55V 25A DPAK