Производитель Номер продукта:
IPI60R199CPXKSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI60R199CPXKSA2-DG
Описание:
HIGH POWER_LEGACY
Подробное описание:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Инвентаризация:
500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804558
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI60R199CPXKSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 660µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1520 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
139W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3-1
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI60R199
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP001109508
448-IPI60R199CPXKSA2
2156-IPI60R199CPXKSA2
IPI60R199CPXKSA2-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFS4620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IPU60R2K1CEBKMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
IRFR220NTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
