Производитель Номер продукта:
IPI65R280C6XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI65R280C6XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
12801191
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI65R280C6XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 440µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
950 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI65R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
2156-IPI65R280C6XKSA1
IFEINFIPI65R280C6XKSA1
IPI65R280C6
IPI65R280C6-DG
SP000785056
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STI20N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1000
Номер части
STI20N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.27
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD50R380CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
BSS123 E6433
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPC60R190P6X7SA1
MOSFET N-CH
