Производитель Номер продукта:
IPI70R950CEXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI70R950CEXKSA1-DG
Описание:
CONSUMER
Подробное описание:
N-Channel 700 V 7.4A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Инвентаризация:
12803112
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI70R950CEXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
328 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
68W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3-1
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI70R950
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP001374896
2156-IPI70R950CEXKSA1
ROCINFIPI70R950CEXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPS12CN10LGBKMA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3
IPN80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
IRFIZ46N
MOSFET N-CH 55V 33A TO220AB FP
