Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPI80N04S303AKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI80N04S303AKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12804072
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI80N04S303AKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 120µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
188W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI80N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPI80N04S303AKSA1
HTML Спецификация
IPI80N04S303AKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IPI80N04S3-03
INFINFIPI80N04S303AKSA1
2156-IPI80N04S303AKSA1
IPI80N04S3-03-DG
SP000261238
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPB80N04S403ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
911
Номер части
IPB80N04S403ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.01
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STI270N4F3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
888
Номер части
STI270N4F3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.55
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR5505
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
IRF1405PBF
MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
IPW65R080CFDFKSA2
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
IRFR9120NTRPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK