Производитель Номер продукта:
IPI80N04S4L04AKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI80N04S4L04AKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
12803836
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI80N04S4L04AKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 35µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4690 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
71W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI80N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IPI80N04S4L-04
IPI80N04S4L-04-DG
SP000646192
INFINFIPI80N04S4L04AKSA1
2156-IPI80N04S4L04AKSA1-IT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP80N04S4L04AKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPP80N04S4L04AKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.22
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFZ44NSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
IPB80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPD068N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
