Производитель Номер продукта:
IPI80N06S407AKSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI80N06S407AKSA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Инвентаризация:
500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804057
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI80N06S407AKSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 40µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
79W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3-1
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI80N06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
INFINFIPI80N06S407AKSA2
SP001028676
2156-IPI80N06S407AKSA2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPN70R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
IRFR4105ZTRR
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IRFI9Z34N
MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP
