Производитель Номер продукта:
IPI90R800C3
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI90R800C3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
12818939
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI90R800C3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 460µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI90R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2156-IPI90R800C3-IT
SP000413730
IFEINFIPI90R800C3
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFX30N110P
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247-3
IXFH90N20X3
MOSFET N-CH 200V 90A TO247
IXTT40N50L2
MOSFET N-CH 500V 40A TO268
