Производитель Номер продукта:
IPL60R185P7AUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPL60R185P7AUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
Подробное описание:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Инвентаризация:
5980 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12822502
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPL60R185P7AUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
185mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 280µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1081 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
81W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-VSON-4
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Базовый номер продукта
IPL60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2156-IPL60R185P7AUMA1
SP001606056
IFEINFIPL60R185P7AUMA1
IPL60R185P7AUMA1CT
IPL60R185P7AUMA1DKR
IPL60R185P7AUMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
2A (4 Weeks)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFI4410ZGPBF
MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB FP
IPP120N06S4H1AKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IRFR220NTRR
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
