Производитель Номер продукта:
IPL60R2K1C6SATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPL60R2K1C6SATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 21.6W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Инвентаризация:
12800879
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPL60R2K1C6SATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ C6
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 760mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
140 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
21.6W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSON-8-2
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
IPL60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
INFINFIPL60R2K1C6SATMA1
2156-IPL60R2K1C6SATMA1
SP001163026
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSO200P03SNTMA1
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
IPB60R160C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
IPB90N06S404ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
