Производитель Номер продукта:
IPL65R130CFD7AUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPL65R130CFD7AUMA1-DG
Описание:
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Подробное описание:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 127W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Инвентаризация:
12974322
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPL65R130CFD7AUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 420µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1694 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
127W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-VSON-4
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SP005559259
448-IPL65R130CFD7AUMA1DKR
448-IPL65R130CFD7AUMA1TR
448-IPL65R130CFD7AUMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
2A (4 Weeks)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR586DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
FDMC86106LZ-L701
FET 100V 103.0 MOHM MLP33
SQ4483EY-T1_BE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
