Производитель Номер продукта:
IPL65R190E6AUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPL65R190E6AUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON
Подробное описание:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Инвентаризация:
12801164
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPL65R190E6AUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ E6
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1620 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
151W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-VSON-4
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Базовый номер продукта
IPL65R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SP001074938
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
2A (4 Weeks)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPL65R070C7AUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3784
Номер части
IPL65R070C7AUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.94
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD053N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
IPB80N06S3-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB25N06S3-25
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3
