Производитель Номер продукта:
IPL65R1K5C6SATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPL65R1K5C6SATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 3A (Tc) 26.6W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Инвентаризация:
12799981
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPL65R1K5C6SATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ C6
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
225 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
26.6W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSON-8-2
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
IPL65R1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP001163086
INFINFIPL65R1K5C6SATMA1
2156-IPL65R1K5C6SATMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
GC11N65D5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Goford Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
GC11N65D5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.65
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI50R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
BSS119E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPN60R360P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
