Производитель Номер продукта:
IPL65R210CFDAUMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPL65R210CFDAUMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
Подробное описание:
N-Channel 650 V 16.6A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Инвентаризация:
12803666
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPL65R210CFDAUMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ CFD2
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
210mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1850 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
151W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-VSON-4
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Базовый номер продукта
IPL65R210
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
IPL65R210CFDAUMA2-DG
448-IPL65R210CFDAUMA2TR
SP002050998
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
2A (4 Weeks)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPL65R200CFD7AUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPL65R200CFD7AUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.26
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP80N03S4L03AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
IPB80P04P405ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
IPP60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
