Производитель Номер продукта:
IPL65R310E6AUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPL65R310E6AUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 13.1A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Инвентаризация:
12801925
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPL65R310E6AUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ E6
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 400µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
950 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-VSON-4
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Базовый номер продукта
IPL65R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
ROCINFIPL65R310E6AUMA1
2156-IPL65R310E6AUMA1-ITTR
SP000895216
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
2A (4 Weeks)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPL65R070C7AUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3784
Номер части
IPL65R070C7AUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.94
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BTS244Z E3062A
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-62
BSS169 E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
BSC019N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
