Производитель Номер продукта:
IPL65R460CFDAUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPL65R460CFDAUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 8.3A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Инвентаризация:
12803548
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPL65R460CFDAUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
460mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
870 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83.3W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-VSON-4
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Базовый номер продукта
IPL65R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SP000949260
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
2A (4 Weeks)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD60R170CFD7ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPD60R170CFD7ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.17
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF8010PBF
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
IRF6215L-103
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
IPT007N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
